Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > CSD19501KCS
CSD19501KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Запросить проверку инвентаризации / Соответствует RoHS
Запрос цены и время выполнения заказа
CSD19501KCS доступны, мы можем предоставить CSD19501KCS, используйте форму запроса предложения, чтобы запросить CSD19501KCS pirce и время выполнения.Atosn.com - профессиональный дистрибьютор электронных компонентов. У нас большой инвентарь и возможна быстрая доставка. Свяжитесь с нами сегодня, и наш торговый представитель предоставит вам цену и детали доставки по части № CSD19501KCS. Включите вопросы таможенного оформления в соответствии с вашей страной, у нас есть профессиональная команда продаж.и техническая команда, мы надеемся на сотрудничество с вами.
Запросить цену
Параметры продукта
- Vgs (й) (Max) @ Id
- 3.2V @ 250µA
- Vgs (макс.)
- ±20V
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Поставщик Упаковка устройства
- TO-220-3
- Серии
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6.6 mOhm @ 60A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс)
- 217W (Tc)
- упаковка
- Tube
- Упаковка /
- TO-220-3
- Другие названия
- 296-37286-5
CSD19501KCS-ND
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип установки
- Through Hole
- Уровень чувствительности влаги (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Стандартное время изготовления
- 35 Weeks
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
- Request inventory verification / RoHS Compliant
- Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
- 3980pF @ 40V
- Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
- 50nC @ 10V
- Тип FET
- N-Channel
- FET Характеристика
- -
- Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Слить к источнику напряжения (VDSS)
- 80V
- Подробное описание
- N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 100A (Ta)
Похожие продукты
- CSD19501KCS
- Паспорт CSD19501KCS
- Таблица данных CSD19501KCS
- Таблица данных в формате pdf CSD19501KCS
- Скачать техническое описание CSD19501KCS
- Изображение CSD19501KCS
- Часть CSD19501KCS