Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > STS10DN3LH5
STS10DN3LH5
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Без свинца / Соответствует RoHS
Запрос цены и время выполнения заказа
STS10DN3LH5 доступны, мы можем предоставить STS10DN3LH5, используйте форму запроса предложения, чтобы запросить STS10DN3LH5 pirce и время выполнения.Atosn.com - профессиональный дистрибьютор электронных компонентов. У нас большой инвентарь и возможна быстрая доставка. Свяжитесь с нами сегодня, и наш торговый представитель предоставит вам цену и детали доставки по части № STS10DN3LH5. Включите вопросы таможенного оформления в соответствии с вашей страной, у нас есть профессиональная команда продаж.и техническая команда, мы надеемся на сотрудничество с вами.
Запросить цену
Параметры продукта
- Vgs (й) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Поставщик Упаковка устройства
- 8-SO
- Серии
- STripFET™ V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 21 mOhm @ 5A, 10V
- Мощность - Макс
- 2.5W
- упаковка
- Cut Tape (CT)
- Упаковка /
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Другие названия
- 497-10011-1
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип установки
- Surface Mount
- Уровень чувствительности влаги (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
- 475pF @ 25V
- Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
- 4.6nC @ 5V
- Тип FET
- 2 N-Channel (Dual)
- FET Характеристика
- Logic Level Gate
- Слить к источнику напряжения (VDSS)
- 30V
- Подробное описание
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 10A
Похожие продукты
- STMicroelectronics STS10DN3LH5
- Паспорт STS10DN3LH5
- Таблица данных STS10DN3LH5
- Таблица данных в формате pdf STS10DN3LH5
- Скачать техническое описание STS10DN3LH5
- Изображение STS10DN3LH5
- Часть STS10DN3LH5
- ST STS10DN3LH5
- STMicroelectronics STS10DN3LH5